文献类型：期刊文章

作　　者：郑畅达[1,2] 方文卿[1,2] 王立[1,2] 莫春兰[1,2] 蒲勇[1,2] 戴江南[1,2] 刘卫华[1,2] 江风益[1,2]

机构地区：[1]南昌大学材料科学研究所 [2]教育部发光材料与器件工程研究中心,江西南昌330047

出　　处：《发光学报》

基　　金：国家"863"计划纳米专项课题(2003AA302160);电子信息产业发展基金资助项目

年　　份：2005

卷　　号：26

期　　号：3

起止页码：385-390

语　　种：中文

收录情况：AJ、BDHX、BDHX2004、CAS、CSA、CSA-PROQEUST、CSCD、CSCD2011_2012、EI、INSPEC、JST、SCOPUS、ZGKJHX、核心刊

摘　　要：采用常压MOCVD方法在Al2O3(00.1)衬底上生长出了高质量ZnO单晶薄膜。由ZnO(00.2)面和Al2O3(00.6)面及ZnO(10.2)面和Al2O3(11.6)面X射线双晶ω/2θ衍射曲线的相对峰位,得到ZnO外延膜的晶格常数及外延层和衬底间的取向差异角。结果表明外延层和衬底在应力作用下产生了取向差和晶格畸变,并且取向倾斜方向与衬底的切割倾角方向一致;高温直接生长的样品的取向差比有低温缓冲层样品更大,晶格畸变也更严重。高温直接生长的样品弯曲半径小而应力更大;实验测量的应力值和理论计算的热应力值之间存在差异,原因主要是晶格失配应力的存在。有缓冲层的样品由于能更好地弛豫晶格失配引入的应力,热应力所占整个残余应力的比例相对更大。

关 键 词：氧化锌 X射线双晶衍射 取向偏差  弯曲半径  

分 类 号：O472.3] O482.31[物理学类]