文献类型：期刊文章

作　　者：张金娅[1] 陈迪[1] 朱军[1] 李建华[1] 方华斌[1] 杨斌[1]

机构地区：[1]薄膜与微细技术教育部重点实验室,上海交通大学微纳米科学技术研究院,上海200030

出　　处：《功能材料与器件学报》

基　　金：国家863高技术研究发展计划(2002AA404150)

年　　份：2005

卷　　号：11

期　　号：2

起止页码：251-254

语　　种：中文

收录情况：AJ、BDHX、BDHX2004、CAS、CSCD、CSCD_E2011_2012、EI(收录号：2005289209008)、JST、SCOPUS、ZGKJHX、核心刊

摘　　要：采用新型SU-8光刻胶在UV-LIGA技术基础上制备了各种高深宽比MEMS微结构,研究了热处理和曝光两个重要因素对高深宽比微结构的影响,解决了微结构的开裂和倒塌等问题;优化了SU-8胶工艺,从而获得了最大深宽比为27:1的微结构。

关 键 词：UV-LIGA技术 SU-8胶 高深宽比微结构  

分 类 号：TN305.7]