文献类型：期刊文章

作　　者：张晓丹[1,2,3] 赵颖[1,2,3] 高艳涛[1,2,3] 朱锋[1,2,3] 魏长春[1,2,3] 孙建[1,2,3] 王岩[1,2,3] 耿新华[1,2,3] 熊绍珍[1,2,3]

机构地区：[1]南开大学光电子薄膜器件与技术研究所,天津300071 [2]光电子薄膜器件与技术天津市重点实验室,天津300071 [3]南开大学光电信息技术科学教育部重点实验室,天津300071

出　　处：《物理学报》

基　　金：国家重点基础研究发展规划 (批准号 :G2 0 0 0 0 2 82 0 2 ;G2 0 0 0 0 2 82 0 3 );教育部国际科技合作项目 (批准号 :2 0 0 2DFG0 0 0 5 1);国家高技术研究发展计划 (批准号 :2 0 0 2AA3 0 3 2 61)资助的课题~~

年　　份：2005

卷　　号：54

期　　号：4

起止页码：1899-1903

语　　种：中文

收录情况：BDHX、BDHX2004、CAS、CSCD、CSCD2011_2012、EI(收录号：2005199093277)、IC、INSPEC、JST、RCCSE、SCI(收录号：WOS:000228510600078)、SCI-EXPANDED(收录号：WOS:000228510600078)、SCIE、SCOPUS、WOS、ZGKJHX、ZMATH、核心刊

摘　　要：采用甚高频等离子体增强化学气相沉积技术成功地制备了不同硅烷浓度和辉光功率条件下的微晶硅电池 .电池的J V测试结果表明 :在实验的硅烷浓度和功率范围内 ,随硅烷浓度的降低和功率的加大 ,对应电池的开路电压逐渐变小 ;硅烷浓度的不同对电池的短路电流密度有很大的影响 ,但功率的影响在实验研究的范围内不是很显著 .对于微晶硅电池 ,N层最好是非晶硅 ,这是因为一方面可以降低对电流的横向收集效应 ,另一方面也降低了电池的漏电概率 ,提高了电池的填充因子 .

关 键 词：甚高频等离子体增强化学气相沉积  微晶硅薄膜 太阳电池 硅烷浓度  

分 类 号：TM914.4]