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期刊文章详细信息

纳米Cu_3N薄膜的制备与性能  ( EI收录 SCI收录)  

Preparation and properties of nano-structure Cu_3N thin films

  

文献类型:期刊文章

作  者:吴志国[1] 张伟伟[1] 白利峰[1] 王君[1] 阎鹏勋[1]

机构地区:[1]兰州大学等离子体与金属材料研究所,兰州730000

出  处:《物理学报》

基  金:甘肃省自然科学基金重点项目 (批准号 :ZS0 2 1 A2 5 0 2 2 C)资助的课题~~

年  份:2005

卷  号:54

期  号:4

起止页码:1687-1692

语  种:中文

收录情况:BDHX、BDHX2004、CAS、CSCD、CSCD2011_2012、EI(收录号:2005199093238)、IC、INSPEC、JST、RCCSE、SCI(收录号:WOS:000228510600039)、SCI-EXPANDED(收录号:WOS:000228510600039)、SCIE、SCOPUS、WOS、ZGKJHX、ZMATH、核心刊

摘  要:采用柱状靶多弧直流磁控溅射法 ,10 0℃基底温度下在玻璃衬底上制备了纳米氮化铜 (Cu3N)薄膜 .用x射线衍射研究了不同氮气分压对Cu3N薄膜晶体结构及晶粒尺寸的影响 .结果显示薄膜由Cu3N和Cu的纳米微晶复合而成 ,其中Cu3N纳米微晶具有立方反ReO3结构 .通过原子力显微镜对薄膜表征显示 ,膜表面比较光滑 ,具有较低的粗糙度 .x射线光电子能谱对薄膜表面的成分分析表明 ,Cu3N薄膜表面铜元素同时以 +1价和 +2价存在 .Cu3N的Cu2p3 2 ,Cu2p1 2 及N1s峰分别位于 932 7,95 2 7和 399 9eV ,Cu2p原子自旋 轨道耦合裂分能量间距为 2 0eV .用台阶仪和四探针方法测量了薄膜的厚度及电阻率 ,薄膜的沉积速率和电阻率在很大程度上受到氮气分压的调制 .

关 键 词:纳米Cu3N薄膜  柱状靶多弧直流磁控溅射法  X射线衍射 晶体结构 氮气分压  

分 类 号:TB383[材料类]

参考文献:

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二级参考文献:

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耦合文献:

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引证文献:

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二级引证文献:

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同被引文献:

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