文献类型：期刊文章

作　　者：韩翔[1] 李轶[1] 吴文刚[1] 闫桂珍[1] 郝一龙[1]

机构地区：[1]北京大学微电子学研究院微米/纳米加工技术国家级重点实验室,北京100871

出　　处：《Journal of Semiconductors》

基　　金：国家自然科学基金资助项目(批准号:90307007)~~

年　　份：2005

卷　　号：26

期　　号：5

起止页码：1059-1064

语　　种：中文

收录情况：AJ、BDHX、BDHX2004、CAS、CSA、CSA-PROQEUST、CSCD、CSCD2011_2012、EBSCO、EI(收录号：2005259167859)、IC、INSPEC、JST、RSC、SCOPUS、WOS、ZGKJHX、核心刊

摘　　要：开发了单晶硅上的选择性无电镀铜、镀镍工艺,形成了较为优化的施镀流程,实现了保形性、均镀性较好的铜、镍及其复合镀层.其中针对单晶硅表面的特点,采取了浓酸处理和氧等离子轰击两种表面预处理方法,优化了氯化钯对表面的激活时间,使得镀层质量得到提高.提出了以镍作为中间层以减小镀层应力的方法,施镀后获得的铜镀层的电阻率为2. 1μΩ·cm,铜/镍复合镀层的方块电阻为0. 19Ω/□.在单晶硅MEMS电感结构上实现了较好的无电镀铜,使得该元件的品质因数超过25.

关 键 词：单晶硅 无电镀  铜  镍 MEMS电感  品质因数

分 类 号：TN405]