文献类型：期刊文章

作　　者：王铁军[1] 周武平[1] 熊宁[1] 刘国辉[1]

机构地区：[1]安泰科技股份有限公司难熔材料分公司,北京100081

出　　处：《粉末冶金技术》

年　　份：2005

卷　　号：23

期　　号：2

起止页码：145-151

语　　种：中文

收录情况：BDHX、BDHX2004、CAS、CSA、CSA-PROQEUST、CSCD、CSCD2011_2012、EI(收录号：2005239147847)、IC、JST、RCCSE、SCOPUS、ZGKJHX、核心刊

摘　　要：本文阐述了电子封装材料的基本要求与状况,对传统封装材料Al2O3、BeO、SiC的制备工艺、性能指标进行了介绍,着重分析了新型电子封装材料AlN、W/Cu、Mo/Cu、SiC/Al的性能特点和粉末冶金制备工艺的最新研究进展。

关 键 词：粉末冶金材料 电子封装材料 制备工艺  AL2O3 性能指标  研究进展  性能特点 SiC  BEO A1N  重分析  Cu  

分 类 号：TF125] TN305.94]