文献类型：期刊文章

作　　者：徐步衡[1] 薛俊明[1] 赵颖[1] 张晓丹[1] 魏长春[1] 孙建[1] 刘芳芳[1] 何青[1] 侯国付[1] 任慧志[1] 张德坤[1] 耿新华[1]

机构地区：[1]南开大学光电子薄膜器件与技术研究所

出　　处：《光电子．激光》

基　　金：国家"973"重点基础研究资助项目( G2000028202; G2000028203 );教育部重点资助项目( 02167 );国家合作资助项目(2002DFG00051;023100711);天津市自然科学基金资助项目(043604911)

年　　份：2005

卷　　号：16

期　　号：5

起止页码：515-518

语　　种：中文

收录情况：BDHX、BDHX2004、CAS、CSCD、CSCD2011_2012、EI(收录号：2005279197248)、IC、JST、RCCSE、SCOPUS、核心刊

摘　　要：利用金属有机物化学气相沉积(MOCVD)生长技术,采用二乙基锌(DEZ)作Zn源和H2O作O源,使用B2H6 为掺杂气体,制备出了光电特性稳定的低电阻率、高透过率的ZnO薄膜。制备条件为:衬底温度160 ℃,DEZ的流量为342μmol/min,H2O流量为500μmol/min,反应气压为5×133.32 Pa,B2H6 流量为5 sccm,掺杂手段为气体掺杂。在薄膜面积为10 cm×10 cm、厚度为550 nm时,方块电阻为40Ω/□。透过率>85%。

关 键 词：ZnO薄膜  薄膜太阳电池 MOCVD 金属有机物化学气相沉积 备用  生长技术  二乙基锌 低电阻率  光电特性  衬底温度 制备条件  方块电阻  H2O  透过率  min  MOL 掺杂  流量  500  膜面积  气体  

分 类 号：TN304.21] TM914.42]