文献类型：期刊文章

作　　者：岳光辉[1] 闫鹏勋[1] 刘金良[1]

机构地区：[1]兰州大学等离子体与金属材料研究所,兰州730000

出　　处：《人工晶体学报》

基　　金：甘肃省自然科学基金重点项目资助(ZS021 A25 022 C)

年　　份：2005

卷　　号：34

期　　号：2

起止页码：344-348

语　　种：中文

收录情况：BDHX、BDHX2004、CAS、CSCD、CSCD2011_2012、EI(收录号：2005229137740)、JST、SCOPUS、ZGKJHX、核心刊

摘　　要：采用反应射频磁控溅射的方法在不同的氮气分压的条件下,在玻璃基底上成功制备了氮化铜(Cu3N)薄膜.XRD显示氮气的气氛影响薄膜的择优生长取向,在低氮气气氛时薄膜择优[111]晶向生长,在高的氮气气氛条件下薄膜的择优生长取向为[100].用Scherrer公式估算出薄膜晶粒的大小在17～26nm之间,实验并研究了薄膜的热稳定性和电学性质.结果表明,薄膜的热稳定性较差,在200℃退火1h后已经完全呈Cu的相,薄膜的电阻率随着填隙原子的数目减少从导体到绝缘体发生不连续的改变.

关 键 词：多晶氮化铜薄膜  制备方法  热稳定性 电阻率 反应射频磁控溅射法  

分 类 号：O484.1]