文献类型：期刊文章

作　　者：王彩琳[1] 高勇[1] 马丽[1] 张昌利[2] 金垠东[2] 金相喆[2]

机构地区：[1]西安理工大学电子工程系,西安710048 [2]韩国电气研究院电力半导体研究室,韩国641600

出　　处：《物理学报》

基　　金：陕西省教育厅专项科研计划项目 (批准号 :0 4JK2 45 )资助的课题 .~~

年　　份：2005

卷　　号：54

期　　号：5

起止页码：2296-2301

语　　种：中文

收录情况：BDHX、BDHX2004、CAS、CSCD、CSCD2011_2012、EI(收录号：2005229137807)、IC、INSPEC、JST、RCCSE、SCI(收录号：WOS:000229049900060)、SCI-EXPANDED(收录号：WOS:000229049900060)、SCIE、SCOPUS、WOS、ZGKJHX、ZMATH、核心刊

摘　　要：通过分析门极换流晶闸管 (GCT)透明阳极的电流输运过程 ,研究了透明阳极的机理 ,导出了透明阳极电子电流密度的表达式 .并利用MEDICI软件对GCT的开关特性进行了模拟 ,验证了理论分析的正确性 .另外 ,将GCT与具有普通阳极的门极可关断晶闸管 (GTO)进行比较 ,分析了透明阳极的特性 ,结果表明将透明阳极与缓冲层结合使用 ,可以更好地协调GCT的阻断特性、通态特性及开关特性之间的矛盾 ,从而有效地改善GCT的综合特性 .结论得到了实验结果的证实 .

关 键 词：透明阳极 电力半导体器件 门极换流晶闸管 注入效率  电流输运  结构参数

分 类 号：TN34]