期刊文章详细信息
PMOSFET的NBTI效应
NBTI Effects in PMOSFET
文献类型：期刊文章
机构地区：[1]华南理工大学微电子学系,广州510640
年 份：2005
卷 号：30
期 号：5
起止页码：62-66
语 种：中文
收录情况：AJ、BDHX、BDHX2004、CAS、CSA、CSA-PROQEUST、CSCD、CSCD_E2011_2012、INSPEC、JST、ZGKJHX、核心刊
摘 要：随着工艺的发展,器件尺寸的不断缩小,PMOSFET受负温度不稳定性(NBTI)效应影响而失效的现象愈来愈严重,NBTI效应的影响成为器件可靠性的一个焦点问题。本文综述了NBTI效应的产生机理、影响因素、减缓方法及其相关的一些前沿问题。
关 键 词：PMOS场效应晶体管 负温度不稳定性 栅氧化层可靠性 器件失效
分 类 号：TN386]
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