文献类型：期刊文章

作　　者：查申森[1] 郑建勇[1] 苏麟[1] 吴恒荣[2] 陈军[2]

机构地区：[1]东南大学电气工程系,江苏南京210096 [2]江苏华厦电气集团,江苏扬中212200

出　　处：《电力自动化设备》

基　　金：江苏省科技攻关项目(BE2003043)江苏省高技术项目(BG2004038)

年　　份：2005

卷　　号：25

期　　号：5

起止页码：20-23

语　　种：中文

收录情况：AJ、BDHX、BDHX2004、CSA、CSA-PROQEUST、CSCD、CSCD_E2011_2012、EI(收录号：20070410383099)、IC、INSPEC、JST、RCCSE、SCOPUS、ZGKJHX、核心刊

摘　　要：绝缘栅双极晶体管IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)串联运行易于实现IGBT的扩容, 但同时也带来了不均压的问题。设计了以L,R为感性负载的实验电路,采用仿真软件PSpice仿真分析出IGBT串联运行时动态不均压原因是吸收电路参数不一致、门极驱动信号延时不同、门极驱动电路参数不一致引起的。并提出了IGBT串联运行动态均压措施(选同型号IGBT、吸收电路参数与结构一致、门极驱动信号同步、门极电路参数一致)。

关 键 词：绝缘栅双极晶体管 串联  动态均压 吸收电路

分 类 号：TN344]