文献类型：期刊文章

作　　者：戴宪起[1] 黄凤珍[1] 郑冬梅[1]

机构地区：[1]河南师范大学物理系,新乡453007

出　　处：《Journal of Semiconductors》

基　　金：国家自然科学基金(批准号:60476047);河南省自然科学基金(批准号:974051900)资助项目~~

年　　份：2005

卷　　号：26

期　　号：4

起止页码：697-701

语　　种：中文

收录情况：AJ、BDHX、BDHX2004、CAS、CSA、CSA-PROQEUST、CSCD、CSCD2011_2012、EBSCO、EI(收录号：2005249160774)、IC、INSPEC、JST、RSC、SCOPUS、WOS、ZGKJHX、核心刊

摘　　要：利用有效质量方法和变分原理,考虑内建电场和量子点的三维约束效应,研究了Al含量对局域在GaN/AlxGa1-xN量子点中激子性质的影响.结果表明,随着Al含量的增加,GaN/AlxGa1-xN异质界面处的导带不连续性增强,势垒变高,载流子受到的约束增强,激子结合能增加,电子空穴的复合率先增大后减小,且存在最大值.对给定体积的量子点,随其高度的变化激子结合能存在最大值,相应的电子空穴被最有效约束,激子态最稳定.

关 键 词：量子点 自发极化和压电极化  电子-空穴复合率  激子结合能

分 类 号：O471.3]