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基于SOI硅片研制新型P^+-I-N^+双注入磁敏差分电路
New type of P^+-I-N^+ double injection magneto-sensitive difference circuit developted on SOI
文献类型：期刊文章
机构地区：[1]黑龙江大学敏感技术研究所,黑龙江哈尔滨150080
基 金：国家自然科学基金资助项目(60076027)
年 份：2005
卷 号：24
期 号：4
起止页码：84-85
语 种：中文
收录情况：BDHX、BDHX2004、CSCD、CSCD2011_2012、核心刊
摘 要：阐述基于SOI硅片制造新型P+ I N+双注入磁敏差分电路的设计原理和制造工艺。构成新型P+ I N+双注入磁敏差分电路的磁敏三极管的复合区采用MEMS中的各向异性腐蚀技术进行设置,给出了这种复合区的复合机理。实验结果表明:此种三极管具有磁灵敏度高、噪声低和可靠性高的特点。因此,由这种新型磁敏三极管构成的差分电路具有温度漂移小的优点。
关 键 词：磁敏三极管 低噪声 微机电系统 各向异性腐蚀
分 类 号：TP212]
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