期刊文章详细信息
SOI高温压力传感器的研究现状
The Research Status of SOI High-temperature Pressure Sensor
文献类型：期刊文章
机构地区：[1]河北工业大学半导体材料研究所,天津300130 [2]天津大学微电子研究所,天津300072
年 份：2005
卷 号：34
期 号：2
起止页码：14-19
语 种：中文
收录情况：AJ、CAS、CSA、CSA-PROQEUST、INSPEC、ZGKJHX、ZMATH、普通刊
摘 要：SOI(silicononinsulator)高温压力传感器是一种新型的半导体高温压力传感器,具有耐高温、抗辐射、稳定性好等优点,能够解决石油、汽车、航空、航天等领域对高温压力传感器的迫切需求,在高温领域有很大的潜力.本文论述了SOI材料的制备方法-特别是硅片直接键合技术(SDB),简单介绍了SOI压力传感器的优势、制作工艺以及SOI压力传感器的发展现状.
关 键 词：压力传感器 SOI SiO2层 各向异性腐蚀 硅片直接键合 硅单晶片
分 类 号：TP212]
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