文献类型：期刊文章

作　　者：苏锵[1] 李成宇[1] 王静[1] 李娟[1] 张彦立[2] 郭崇峰[3] 吕玉华[1]

机构地区：[1]中国科学院长春应用化学研究所稀土化学与物理重点实验室,吉林长春130022 [2]国家计量研究院电离辐射部,北京100000 [3]中山大学光电子材料与技术国家重点实验室化学与化工学院,广东广州510275

出　　处：《发光学报》

基　　金：吉林省科技厅攻关资助项目(20020601)

年　　份：2005

卷　　号：26

期　　号：2

起止页码：143-148

语　　种：中文

收录情况：AJ、BDHX、BDHX2004、CAS、CSA、CSA-PROQEUST、CSCD、CSCD2011_2012、EI、INSPEC、JST、SCOPUS、ZGKJHX、核心刊

摘　　要：可利用不等价离子取代法或高能射线辐照法制备电子俘获材料,如长余辉发光材料ZnO SiO2 B2O3 MnO、CaS∶Eu2+,Tm3+、CaGa2S4∶Eu2+,Ho3+和固体剂量材料Zn0. 96 (BO2 )2∶0. 04Tb,Sr0. 93Dy0. 07B4O7 等。利用俘获在缺陷中的电子空穴对的复合,并把能量传递给Eu2+或Mn2+等激活离子而产生长余辉发光或热释光。它们将在弱光照明与显示,信息存储和辐射治疗与探测、监控等方面获得应用。

关 键 词：稀土 电子俘获材料 缺陷  

分 类 号：O482.31]