文献类型：期刊文章

作　　者：申屠伟进[1] 胡飞[2] 韩彦军[1] 薛松[1] 罗毅[1] 钱可元[2]

机构地区：[1]清华大学电子工程系 [2]清华大学深圳研究生院半导体照明实验室,广东深圳518057

出　　处：《光电子．激光》

基　　金：国家重点基础研究发展规划资助项目(TG2000036601);国家高技术研究发展计划资助项目(2001AA312190;2002AA31119Z);国家自然科学基金资助项目(60244001)

年　　份：2005

卷　　号：16

期　　号：4

起止页码：385-389

语　　种：中文

收录情况：BDHX、BDHX2004、CAS、CSCD、CSCD2011_2012、EI(收录号：2005249160735)、IC、JST、RCCSE、SCOPUS、核心刊

摘　　要：基于蒙特卡罗方法模拟分析了限制GaN基发光二极管(LEDs)芯片光提取效率的主要因素。结果表明,GaN与蓝宝石之间的较大折射率差别严重限制了芯片光提取效率的提高,通过蓝宝石背面出光比通过p型GaN层的正面出光的芯片光提取效率至少高20%;同时,低GaN光吸收系数、高电极反射率以及环氧树脂封装可以有效的增加芯片光提取效率,并且LEDs芯片尺寸在400μm以下时光提取效率较高。

关 键 词：提取效率  发光二极管 GaN  蒙特卡罗方法 光吸收系数  模拟分析  环氧树脂  芯片尺寸 LEDS 蓝宝石  折射率  反射率  限制  P型 封装  

分 类 号：TN312.8] X833]