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PECVD SiN薄膜应力的研究
Study of Stresses of PECVD Films on Si Substrates
文献类型：期刊文章
机构地区：[1]西北电讯工程学院微电子所
年 份：1989
卷 号：6
期 号：6
起止页码：21-24
语 种：中文
收录情况：BDHX、BDHX1992、CSCD、CSCD_E2011_2012、JST、ZGKJHX、核心刊
摘 要：本文介绍以激光反射法应力测量装置研究PE CVD SiN薄膜的应力特性。并给出了SiN膜应力与淀积温度、气体流量比、膜厚、测试温度的关系、以及退火处理对膜应力的影响,得到了本征应力和热应力在总应力中各占的比例。
关 键 词：氮化硅膜 应力测量 激光反射法
分 类 号：TN304.24]
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