文献类型：期刊文章

作　　者：陈志钢[1] 唐一文[1] 贾志杰[1] 张丽莎[1] 李家麟[1] 余颖[1]

机构地区：[1]华中师范大学物理科学与技术学院纳米科技研究院,武汉430079

出　　处：《无机材料学报》

基　　金：国家自然科学基金(20207002)教育部留学回国人员启动基金

年　　份：2005

卷　　号：20

期　　号：2

起止页码：367-372

语　　种：中文

收录情况：BDHX、BDHX2004、CAS、CSA、CSA-PROQEUST、CSCD、CSCD2011_2012、DOAJ、EI(收录号：2005199092341)、IC、JST、RCCSE、SCI-EXPANDED(收录号：WOS:000227934300017)、SCIE、SCOPUS、WOS、ZGKJHX、核心刊

摘　　要：研究了用简单铜盐通过阴极还原氧化亚铜的电化学行为,讨论了一些工艺因素对 在导电玻片上电沉积Cu2O薄膜的影响,并对所制备的Cu2O薄膜分别用台阶仪、X射线 衍射仪(XRD)、扫描电镜(SEM)、X射线光电子能谱(XPS)进行表征.得到的较佳工艺 条件为:电势-0.22--0.45V(vs SCE),温度为60℃,pH值为5.5-6.0,(CH3COO)2Cu浓度为 0.015-0.04mol／L.表征结果发现,随池温的升高,晶粒尺寸从0.2μm增加到0.4μm,60℃沉积 的Cu2O薄膜开始具有(111)面择优取向,Cu2O膜纯度高,薄膜表面呈网络多孔结构.

关 键 词：氧化亚铜 电沉积 膜  表征  

分 类 号：O614] TB43[化学类]