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期刊文章详细信息

微电子领域科技领军人才引进工作的“瓶颈”与改善    

The Bottleneck and Improvement of Bring in Technological Leading Talents in the Field of China’s Microelectronics

  

文献类型:期刊文章

作  者:叶红雨[1] 钱省三[1] 孟薇[1]

机构地区:[1]上海理工大学微电子发展研究中心,上海200093

出  处:《半导体技术》

基  金:上海市科委软科学重点项目(046921012)

年  份:2005

卷  号:30

期  号:4

起止页码:1-4

语  种:中文

收录情况:AJ、BDHX、BDHX2004、CAS、CSA、CSA-PROQEUST、CSCD、CSCD_E2011_2012、INSPEC、JST、ZGKJHX、核心刊

摘  要:大力引进科技领军人才是我国微电子业目前阶段快速提高竞争力的最有效手段。调查表明,机制、待遇以及子女教育问题等是制约我国微电子领域引进科技领军人才的“瓶颈”。本文最后给出了一些政策建议。

关 键 词:微电子 科技领军人才 瓶颈  

分 类 号:TN43]

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引证文献:

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同被引文献:

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