期刊文章详细信息
硅雪崩二极管光子辐射特性的实验研究 ( EI收录)
Measurement of the Photon Emission Characteristic of Silicon Avalanche Photodiode
文献类型:期刊文章
机构地区:[1]量子光学与光量子器件国家重点实验室,山西大学物理电子工程学院,太原030006
基 金:国家基金(60378004);山西省留学基金资助;高等学校博士学科点转项科研基金(20040108002);国家人事部留学人员科技活动优秀项目
年 份:2005
卷 号:34
期 号:3
起止页码:354-356
语 种:中文
收录情况:AJ、BDHX、BDHX2004、CAS、CSA、CSA-PROQEUST、CSCD、CSCD2011_2012、EI(收录号:2005179070080)、IC、INSPEC、JST、RCCSE、RSC、SCOPUS、WOS、ZGKJHX、核心刊
摘 要:利用计数统计测量的方法,对工作在击穿状态下的硅雪崩光电二极管(APD)光子辐射的暂态特性以及计数统计特性进行了实验研究将APD辐射光子的计数统计曲线与相应Poisson、热光场进行比较。
关 键 词:雪崩光电二极管 光子辐射 光子统计 光谱
分 类 号:TN312.7] O431]
参考文献:
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