文献类型：期刊文章

作　　者：雷红[1] 雒建斌[2] 屠锡富[3] 方亮[3]

机构地区：[1]上海大学纳米科学与技术研究中心,上海200436 [2]清华大学摩擦学国家重点实验室,北京100084 [3]深圳开发磁记录有限公司,深圳518035

出　　处：《机械工程学报》

基　　金：上海市纳米专项(0352nm058)国家自然科学基金(50390060)资助项目

年　　份：2005

卷　　号：41

期　　号：3

起止页码：117-122

语　　种：中文

收录情况：AJ、BDHX、BDHX2004、CAS、CSA、CSA-PROQEUST、CSCD、CSCD2011_2012、EI(收录号：2005179069771)、IC、JST、RCCSE、SCOPUS、ZGKJHX、核心刊

摘　　要：随着计算机磁头与磁盘间隙的不断减小,硬盘表面要求超光滑(亚纳米级粗糙度)。化学机械抛光技术是迄今几乎唯一的全局平面化技术。研究了抛光液特性与计算机硬盘基片的化学机械抛光性能间的关系,结果表明,抛光后表面的波纹度(Wa)、粗糙度Ra)以及材料去除量强烈依赖于抛光液中磨粒的粒径、磨粒和氧化剂的浓度等因素。借助对抛光后表面的俄歇能谱(AES)分析,对其化学机械抛光机理进行了探讨。

关 键 词：化学机械抛光(CMP)  硬盘基片  亚纳米级粗糙度  CMP机理  

分 类 号：TH117]