期刊文章详细信息
垂直腔半导体光放大器双稳及逻辑特性的理论研究 ( EI收录)
Theoretical Study of Bistable and Logic Characteristics in Vertical Cavity Semiconductor Optical Amplifier
文献类型:期刊文章
机构地区:[1]西南交通大学计算机与通信工程学院光通信与光器件研究所,成都610031 [2]电子科技大学光电信息学院,成都610054 [3]四川大学光电系,成都610064
出 处:《Journal of Semiconductors》
基 金:国家自然科学基金(批准号:10174057;90201011);四川省应用基础研究(批准号:03JY0290481);高等学校博士学科点专项科研基金(批准号:20030613007)资助项目~~
年 份:2005
卷 号:26
期 号:2
起止页码:357-362
语 种:中文
收录情况:AJ、BDHX、BDHX2004、CAS、CSA、CSA-PROQEUST、CSCD、CSCD2011_2012、EBSCO、EI(收录号:2005159039435)、IC、INSPEC、JST、RSC、SCOPUS、WOS、ZGKJHX、核心刊
摘 要:基于垂直腔半导体光放大器 (VCSOA)双稳模型 ,从数值上分析了VCSOA的双稳条件、双稳控制以及双稳环简并下的AND逻辑实现 .结果表明 ,在阈值附近 (大于阈值的 93% )和初始相位失谐量为负的情况下 ,输出光功率出现双稳态 .偏置电流为阈值的 98%时 ,输入光功率在 5 5 μW和 2 2 μW处发生上下跳变的结果与实验报道结果吻合得较好 .同时 ,从理论上给出了偏置电流、相位失谐量、线宽展宽因子、顶端面反射率等控制参数对VCSOA开关功率、跳变点、双稳环宽和环宽简并以及对比度的影响规律 .
关 键 词:半导体光放大器 VCSOA 双稳态 开关功率 双稳环简并
分 类 号:TN722]
参考文献:
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引证文献:
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同被引文献:
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