文献类型：期刊文章

作　　者：潘炜[1] 张晓霞[2] 罗斌[1] 邓果[1] 李孝峰[1] 陈建国[3]

机构地区：[1]西南交通大学计算机与通信工程学院光通信与光器件研究所,成都610031 [2]电子科技大学光电信息学院,成都610054 [3]四川大学光电系,成都610064

出　　处：《Journal of Semiconductors》

基　　金：国家自然科学基金(批准号:10174057;90201011);四川省应用基础研究(批准号:03JY0290481);高等学校博士学科点专项科研基金(批准号:20030613007)资助项目~~

年　　份：2005

卷　　号：26

期　　号：2

起止页码：357-362

语　　种：中文

收录情况：AJ、BDHX、BDHX2004、CAS、CSA、CSA-PROQEUST、CSCD、CSCD2011_2012、EBSCO、EI(收录号：2005159039435)、IC、INSPEC、JST、RSC、SCOPUS、WOS、ZGKJHX、核心刊

摘　　要：基于垂直腔半导体光放大器 (VCSOA)双稳模型 ,从数值上分析了VCSOA的双稳条件、双稳控制以及双稳环简并下的AND逻辑实现 .结果表明 ,在阈值附近 (大于阈值的 93% )和初始相位失谐量为负的情况下 ,输出光功率出现双稳态 .偏置电流为阈值的 98%时 ,输入光功率在 5 5 μW和 2 2 μW处发生上下跳变的结果与实验报道结果吻合得较好 .同时 ,从理论上给出了偏置电流、相位失谐量、线宽展宽因子、顶端面反射率等控制参数对VCSOA开关功率、跳变点、双稳环宽和环宽简并以及对比度的影响规律 .

关 键 词：半导体光放大器 VCSOA  双稳态 开关功率  双稳环简并  

分 类 号：TN722]