文献类型：期刊文章

作　　者：赵慧[1] 徐征[1] 励旭东[2] 李海玲[2] 许颖[2] 赵玉文[2] 王文静[2]

机构地区：[1]北京交通大学光电子技术研究所,北京100044 [2]北京市太阳能研究所,北京100083

出　　处：《Journal of Semiconductors》

年　　份：2005

卷　　号：26

期　　号：2

起止页码：341-344

语　　种：中文

收录情况：AJ、BDHX、BDHX2004、CAS、CSA、CSA-PROQEUST、CSCD、CSCD2011_2012、EBSCO、EI(收录号：2005159039431)、IC、INSPEC、JST、RSC、SCOPUS、WOS、ZGKJHX、核心刊

摘　　要：研究了多晶硅的浓磷扩散吸杂、铝吸杂、磷 铝联合吸杂 (双面蒸铝 ) .采用准稳态光电导衰减法测试了吸杂前后多晶硅片的有效少数载流子寿命 ,发现磷 铝联合吸杂于硅片少子寿命的提高最大达 30 μs以上 ,其次是磷吸杂 ,铝吸杂再次之 .采用吸杂后的多晶硅片制备了 1cm× 1cm的太阳电池 ,与相同条件下未经吸杂制备的电池相比 ,发现三种吸杂方式都能提高电池的各项电学特性 ,其中磷 铝联合吸杂提高电池效率最大 ,达 4 0 %以上 ,最差为铝吸杂 ,只有 15 %左右的提高 ,这与吸杂后所测得的少子寿命的变化趋势一致 .实验说明三种吸杂方式在不同程度上促成了硅片界面晶格应力对重金属杂质的吸附作用 ,减少了载流子的复合中心 ,从而提高了有效少数载流子的寿命 ;而有效少数载流子的寿命直接影响到电池的效率 .

关 键 词：磷/铝吸杂  少子寿命 多晶硅太阳电池

分 类 号：TM914]