期刊文章详细信息
真空微电子器件的数值模拟
Numerical Simulation for Vacuum Microelectronic Devices
文献类型：期刊文章
机构地区：[1]南京理工大学光电技术系
年 份：1994
卷 号：24
期 号：3
起止页码：27-30
语 种：中文
收录情况：AJ、CAS、CSA、CSA-PROQEUST、CSCD、CSCD_E2011_2012、IC、INSPEC、JST、ZGKJHX、普通刊
摘 要：本文介绍了一种对真空微电子器件进行电特性数值模拟的有限差分法。计算了场致发射电流与锥体的曲率半径ｒ＿（ｔｉｐ）、锥体半角度θ＿（１／２）、栅孔半径ｒ＿ｇ和锥体高度ｈ的依赖关系。栅压Ｖ＿ｇ＝１００Ｖ，锥体发射阴极对曲率半径ｒ＿（ｔｉｐ）、栅孔半径ｒ＿ｇ的电流灵敏度分别是３．７×１０￣７Ａ／ｎｍ和１．１×１０￣３Ａ／μｍ。
关 键 词：真空 微电子学 数值模拟 电子器件
分 类 号：TN103]
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