期刊文章详细信息
一种高频高压双极性功率器件的研究
文献类型：期刊文章
机构地区：[1]浙江大学功率器件研究所
年 份：1994
卷 号：19
期 号：4
起止页码：23-27
语 种：中文
收录情况：普通刊
摘 要：针对常规双极功率晶体管（ＢＰＴ）中存在的高频、高电流增益和高ＣＥ击穿电压间的固有矛盾，本文基于Ｋｏｎｄｏ提出的ＧＡＴ结构，利用刻槽淀积Ｐ＋多晶硅基区的新工艺，研制了一种高频高压双极性功率器件，并对该器件的基区电场屏蔽效应进行了解析研究，实验获得了预期的效果。
关 键 词：双极功率器件 器件模型 双极晶体管 功率晶体管
分 类 号：TN431.1]
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