文献类型：期刊文章

作　　者：李喆深[1] 蔡卫中[1] 苏润洲[1] 侯晓远[1] 董国胜[1] 金晓峰[1] 丁训民[1] 王迅[1]

机构地区：[1]复旦大学应用表面物理国家重点实验室,复旦大学李政道物理综合实验室,东北林业大学物理系

出　　处：《Journal of Semiconductors》

基　　金：国家自然科学基金

年　　份：1994

卷　　号：15

期　　号：7

起止页码：505-510

语　　种：中文

收录情况：AJ、BDHX、BDHX1992、CAS、CSA、CSA-PROQEUST、CSCD、CSCD2011_2012、EI、INSPEC、JST、RSC、SCOPUS、ZGKJHX、核心刊

摘　　要：本文用光致发光谱（ＰＬ）结合俄欧电子能谱（ＡＥＳ）和Ｘ射线光电子能谱（ＸＰＳ），首次研究了Ｓ２Ｃｌ２钝化的ＧａＡｓ（１００）表面．结果表明，ＰＬ强度较钝化前样品提高了将近两个数量级．钝化后的表面ＡＥＳ谱显示含有Ｓ，Ｇａ，ＡＳ，Ｃ和少量Ｃｌ原子而不含Ｏ原子．ＸＰＳ谱说明Ｓ原子和Ｇａ、Ａｓ原子都成键．与（ＮＨ４）２Ｓ处理的比较结果显示，几秒钟的．Ｓ２Ｃｌ２处理即可达到或超过几十分钟（ＮＨ４）２Ｓ处理的钝化效果．

关 键 词：砷化镓 钝化 氯化硫处理  

分 类 号：TN304.23]