文献类型：期刊文章

作　　者：朱永法[1] 曹立礼[1] 林惠旺[2] 陈立[3]

机构地区：[1]清华大学分析中心 [2]清华大学微电子所,北京100084 [3]美国惠普公司

出　　处：《真空科学与技术》

年　　份：1993

卷　　号：13

期　　号：1

起止页码：34-42

语　　种：中文

收录情况：CSCD、CSCD_E2011_2012、IC、SCOPUS、普通刊

摘　　要：运用俄歇电子能谱(AES)、X射线光电子能谱(XPS)以及卢瑟福背散射谱(RBS)研究了Ti/Si(100)样品在快速热退火(RTA)过程中的界面反应机理及物种分布。研究结果表明,Ti/Si(100)样品在600℃快速热退火10s后,界面上的钛和硅就发生了明显的界面反应,形成了TiSi_2金属硅化物相。在750℃RTA后,TiSi_2相已基本形成完善,再提高RTA温度,TiSi_2相增加甚少。快速热退火过程不同于一般的慢退火过程,主要通过TiSi_2晶格传递Si,从而促使界面处的钛和硅的继续反应。界面扩散的速度很快,TiSi_2物相的形成速度由Ti和Si的反应速度限制,不受Si扩散效应的影响。此外,俄歇线形分析还揭示了,在硅化物的形成过程中,钛硅物相在各界面层中的存在形式。

关 键 词：TI SI(100) 退火 界面反应  硅化钛

分 类 号：TG156.2]