文献类型：期刊文章

作　　者：王权[1] 丁建宁[1] 王文襄[2] 范真[1]

机构地区：[1]江苏大学微纳米科学技术研究中心,江苏镇江212013 [2]昆山双桥传感器测试技术有限公司,江苏苏州215325

出　　处：《传感器技术》

基　　金：国家 863计划MEMS重大专项资助项目(2002AA404470);国家"九五"传感器技术攻关产业化项目(96-748-02-01 /07)

年　　份：2005

卷　　号：24

期　　号：2

起止页码：13-15

语　　种：中文

收录情况：BDHX、BDHX2004、CSCD、CSCD2011_2012、核心刊

摘　　要：针对高温压力传感器耐高温和高压的测量的要求,设计了压阻式压力传感器硅杯式芯片版图,采用SIMOX(separationbyimplantedoxygen)技术SOI(silicononinsulator)晶片,在微加工平台上制作了该芯片,获得了差动等臂等应变的惠斯登检测电桥。对采用耐高温封装后的传感器的热零点漂移、热灵敏度漂移和零位输出的补偿作了研究,设计了补偿电路,推导了热灵敏度漂移补偿的计算公式,在通用型高温压力传感器的研发中证明其可行性和实用性,并总结出了经验公式。

关 键 词：高温压力传感器 惠斯登电桥 恒流源 温度系数补偿  

分 类 号：TP212]