文献类型：期刊文章

作　　者：任晓伟[1] 朱静[1]

机构地区：[1]清华大学材料科学与工程研究院电子显微镜实验室,北京100084

出　　处：《电子显微学报》

基　　金：国家自然科学基金资助项目;国家863项目;清华大学985资助项目.

年　　份：2003

卷　　号：22

期　　号：5

起止页码：395-399

语　　种：中文

收录情况：BDHX、BDHX2000、CAS、CSCD、CSCD2011_2012、JST、RCCSE、ZGKJHX、核心刊

摘　　要：运用透射电子显微术(TEM)对由分子束外延(MBE)制备的GaAs InGaAs多层量子点样品进行观察和分析。利用对量子点周围应变场分布的模拟,定性解释了量子点形貌及其周围发现的凹陷区域。通过对量子点高分辨像显示的晶格错配和化学成分分析研究,解释了所研究样品中量子点尺寸逐层增大的现象。研究结果为量子点材料生长过程中应变场的控制提供了一些思路。

关 键 词：量子点材料 MBE 分子束外延  场分布 TEM  尺寸  显示  错配  研究结果  观察  

分 类 号：O472]