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期刊文章详细信息

硅基场发射阴极材料研究进展    

Research Progress on Silicon-based Field Emission Cathode Materials

  

文献类型:期刊文章

作  者:富笑男[1] 李新建[1]

机构地区:[1]郑州大学物理系

出  处:《科学技术与工程》

基  金:河南省自然科学基金(411011800)教育部骨干教师基金资助

年  份:2005

卷  号:5

期  号:3

起止页码:165-173

语  种:中文

收录情况:RCCSE、ZGKJHX、普通刊

摘  要:场发射显示技术在原理上具有多种优越性能,可能在未来平板显示技术中居主导地位。硅基场发射阴极易于与其周边驱动电路实现集成,因而更具有明显的开发前景。在综述硅基场发射阴极材料最新研究进展的基础上,就其所面临的问题、可能的解决方案和未来的发展趋势做出了评述。

关 键 词:硅基场致发射阴极材料  硅尖锥形阴极阵列  场发射

分 类 号:O462.4] TB383[物理学类]

参考文献:

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引证文献:

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同被引文献:

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