期刊文章详细信息
薄膜厚度对ZnO∶Ga透明导电膜性能的影响 ( EI收录)
Thickness dependence of properties of ZnO∶Ga films deposited by r.f. magnetron sputtering
文献类型:期刊文章
机构地区:[1]山东大学物理与微电子学院,山东济南250100 [2]山东师范大学物理系,山东济南250014
基 金:教育部科学技术研究重点资助项目(重点02165);博士点基金资助项目(20020422056)
年 份:2005
卷 号:36
期 号:2
起止页码:241-243
语 种:中文
收录情况:BDHX、BDHX2004、CAS、CSCD、CSCD2011_2012、EI(收录号:2005159039510)、IC、JST、RCCSE、RSC、SCOPUS、ZGKJHX、核心刊
摘 要:采用射频磁控溅射法在玻璃衬底上低温制备出镓掺杂氧化锌(ZnO∶Ga)透明导电膜,研究了薄膜的结构、电学和光学性质随薄膜厚度的变化关系。制备的ZnO∶Ga是具有六角纤锌矿结构的多晶薄膜,最佳择优取向为(002)方向。随着薄膜厚度的增加,衍射峰明显增强,晶粒增大。薄膜的最低电阻率为 3.9×10-4Ω·cm,在可见光范围内平均透过率达到了85%以上。
关 键 词:磁控溅射 ZNO:GA 薄膜厚度 光电性质
分 类 号:TN304.2] TN304.055
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