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(Sr^(2+),Bi^(3+),Si^(4+),Ta^(5+))掺杂的TiO_2压敏陶瓷中Ta^(5+)的研究
Investigation of Ta^(5+) in (Sr^(2+),Bi^(3+),Si^(4+))- added TiO_2-Based Varistor
文献类型：期刊文章
机构地区：[1]安徽大学物理与材料科学学院,安徽合肥230039 [2]茂名学院技术物理系,广东茂名525300 [3]广州大学固体物理与材料研究实验室,广东广州510405
年 份：2005
卷 号：23
期 号：1
起止页码：96-98
语 种：中文
收录情况：BDHX、BDHX2004、CAS、CSA-PROQEUST、CSCD、CSCD2011_2012、JST、RCCSE、ZGKJHX、核心刊
摘 要：研究Ta2 O5对 (Sr,Bi,Si,Ta)掺杂的TiO2 基压敏陶瓷压敏特性及电容特性的影响 ,发现按配方TiO2+0 .3%(SrCO3+Bi2 O3+SiO2 ) +0 .1 %Ta2 O5配制的样品具有最低压敏电压 (E1 0mA =1 .2V·mm- 1 )、最大相对介电常数 (εra=2 .0 0 2× 1 0 5)及较小非线性系数 (α =2 .6 )。考虑到材料的低压敏电压和大介电常数的要求 ,Ta2 O5最佳掺杂量在 0 .0 85mol%与 0 .1mol%之间。
关 键 词：TiO2基压敏陶瓷 压敏电压 非线性系数 介电常数
分 类 号：TN304] TN379
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