文献类型：期刊文章

作　　者：李庚伟[1] 吴正龙[2] 邵素珍[3] 张建辉[4] 刘志凯[4]

机构地区：[1]中国地质大学材料科学与工程学院,北京100083 [2]北京师范大学分析测试中心,北京100875 [3]北京市第四十七中学,北京100090 [4]中国科学院半导体材料科学实验室,北京100083

出　　处：《材料导报》

基　　金：国家"863"计划资助项目(863-715-001-0162)

年　　份：2005

卷　　号：19

期　　号：2

起止页码：109-111

语　　种：中文

收录情况：BDHX、BDHX2004、CAS、CSCD、CSCD2011_2012、EI、IC、JST、RCCSE、SCOPUS、UPD、ZGKJHX、核心刊

摘　　要：利用 X 射线衍射(XRD),X 射线摇摆曲线(XRC)和 X 射线光电子能谱(XPS)分析方法对氧离子束辅助激光淀积生长的 ZnO/Si 异质结薄膜进行了分析。结果表明:用该法可生长出高度 c 轴单一取向 ZnO 薄膜,XRC 的半高宽度(FWHM)仅为2.918°。表明此生长方法经优化,可生长出单晶质量很好的 ZnO/Si 薄膜。

关 键 词：ZnO/Si  氧离子束辅助激光淀积生长  异质结薄膜  X射线摇摆曲线  X射线光电子能谱

分 类 号：TN304.055]