文献类型：期刊文章

作　　者：黄伟其[1] 刘世荣[2]

机构地区：[1]贵州大学物理系,光电子实验室,贵阳市550026 [2]中国科学院地化所电镜室,贵阳市550003

出　　处：《物理学报》

基　　金：贵州省自然科学基金 (批准号 :0 0 193 0 2 9)资助的课题~~

年　　份：2005

卷　　号：54

期　　号：2

起止页码：972-976

语　　种：中文

收录情况：BDHX、BDHX2004、CAS、CSCD、CSCD2011_2012、EI(收录号：2005129008500)、IC、INSPEC、JST、RCCSE、SCI(收录号：WOS:000226916500081)、SCI-EXPANDED(收录号：WOS:000226916500081)、SCIE、SCOPUS、WOS、ZGKJHX、ZMATH、核心刊

摘　　要：在高精度椭偏仪 (HPE)系统中 ,采用激光照射硅锗合金衬底助氧化的新方法 ,在SiO2 层中生成锗的双纳米面结构 ;并在样品生长过程中 ,用HPE同步测量样品的纳米结构 .用Raman光谱仪测量样品的横断面 ,发现很强的PL发光谱峰 .用量子受限模型和改进的量子从头计算 (UHFR)方法分析了PL光谱的结构 .

关 键 词：激光照射 HPE PL 同步测量 方法分析  生成  发现  从头计算  椭偏仪 纳米结构  

分 类 号：O471]