文献类型：期刊文章

作　　者：王婷婷[1] 叶超[1] 宁兆元[1] 程珊华[1]

机构地区：[1]苏州大学物理科学与技术学院薄膜材料江苏省重点实验室,苏州215006

出　　处：《物理学报》

基　　金：苏州大学薄膜材料江苏省重点实验室资助的课题~~

年　　份：2005

卷　　号：54

期　　号：2

起止页码：892-896

语　　种：中文

收录情况：BDHX、BDHX2004、CAS、CSCD、CSCD2011_2012、EI(收录号：2005129008486)、IC、INSPEC、JST、RCCSE、SCI(收录号：WOS:000226916500067)、SCI-EXPANDED(收录号：WOS:000226916500067)、SCIE、SCOPUS、WOS、ZGKJHX、ZMATH、核心刊

摘　　要：以十甲基环五硅氧烷为反应源、采用电子回旋共振等离子体化学气相沉积 (ECR_CVD)方法制备了具有低介电常数 ,且电绝缘性能和热稳定性优良的SiCOH薄膜 .通过对富氏变换红外光谱 (FTIR)的分析 ,比较了反应源和薄膜键结构的差异 ,证实薄膜中一方面保持了源中由Si—O—Si键构成的环结构 ,另一方面形成了由大键角Si—O—Si键构成的鼠笼式结构 ,在沉积过程中失去的主要是侧链的—CH3基团 .薄膜经过 4 0 0℃热处理后 ,其介电常数由3 85降低到 2 85 ,对其FTIR谱的分析指出 。

关 键 词：键结构  薄膜  键角 基团 电子回旋共振 变换  FTIR 低介电常数 硅氧烷 甲基  

分 类 号：O484] O641.1[物理学类]