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层间作用对HgS/CdS/HgS柱状纳米系统电子能量的影响 ( EI收录 SCI收录)
The influence of the layer-to-layer interaction energy on the electronic energy in HgS/CdS/HgS columnar nanometer system
文献类型:期刊文章
机构地区:[1]西南师范大学物理学院,重庆400715 [2]西南师范大学材料科学与材料工程学院,重庆400715
基 金:国家自然科学基金 (批准号 :10 14 72 0 7)资助的课题~~
年 份:2005
卷 号:54
期 号:2
起止页码:886-891
语 种:中文
收录情况:BDHX、BDHX2004、CAS、CSCD、CSCD2011_2012、EI、IC、INSPEC、JST、RCCSE、SCI(收录号:WOS:000226916500066)、SCI-EXPANDED(收录号:WOS:000226916500066)、SCIE、SCOPUS、WOS、ZGKJHX、ZMATH、核心刊
摘 要:确立了柱状纳米系统电子势能随距离的变化关系 ,以HgS CdS HgS柱状纳米系统为例 ,讨论了层间作用对电子能谱的影响 .结果表明 :电子能量随势垒宽度和波矢的增大而增大 ,随势阱宽度的增大而减小 ;层间互作用会增大电子能量 。
关 键 词:势阱 电子能量 阱宽 势能 变化关系 互作用 势垒宽度 改变 影响 纳米
分 类 号:O469]
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