文献类型：期刊文章

作　　者：王颖[1] 申德振[1] 张吉英[1] 刘益春[2] 张振中[1] 吕有明[1] 范希武[1]

机构地区：[1]中国科学院长春光学精密机械与物理研究所激发态物理重点实验室,吉林长春130033 [2]东北师范大学先进光电子功能材料研究中心,吉林长春130024

出　　处：《液晶与显示》

基　　金：国家自然科学重点基金资助项目(No.60336020);"863"高技术资助项目(No. 2001AA31112);中科院创新工程资助项目;国家自然科学基金资助项目(No.60278031;60176003;60376009)

年　　份：2005

卷　　号：20

期　　号：1

起止页码：18-21

语　　种：中文

收录情况：AJ、BDHX、BDHX2004、CAS、CSA、CSA-PROQEUST、CSCD、CSCD_E2011_2012、EBSCO、IC、INSPEC、JST、RCCSE、SCOPUS、WOS、ZGKJHX、核心刊

摘　　要：采用等离子体增强化学气相沉积方法(PECVD),在低衬底温度下制备了富硅氮化硅薄膜。利用红外吸收谱(IR)、XPS光电子能谱和光致发光谱(PL),研究了不同的退火温度对薄膜结构和发光的影响。研究发现,薄膜经退火后,在发光谱中出现一强的发光峰。当经过900 ℃退火后,随着与硅悬键有关的发光峰的消失,该强的主发光峰发生了明显的蓝移,并且有所宽化。蓝移现象源于高温退火后,在薄膜中有小尺寸的 Si团簇形成。通过实验结果分析,提出薄膜的发光起因于包埋在氮化硅中的Si团簇。

关 键 词：PECVD 光致发光 Si团簇  悬键  

分 类 号：TN104.3] O484.4]