文献类型：期刊文章

作　　者：孟凡明[1] 傅刚[2] 胡素梅[3] 陈志雄[2]

机构地区：[1]安徽大学物理与材料科学学院电子材料研究室,合肥230039 [2]广州大学固体物理与材料研究实验室,广州510405 [3]茂名学院技术物理系,广东茂名525300

出　　处：《硅酸盐学报》

基　　金：安徽省教育厅科研基金

年　　份：2004

卷　　号：32

期　　号：12

起止页码：1496-1499

语　　种：中文

收录情况：BDHX、BDHX2000、CAS、CSA、CSA-PROQEUST、CSCD、CSCD2011_2012、EI(收录号：2005088854069)、IC、INSPEC、JST、RCCSE、RSC、SCOPUS、ZGKJHX、核心刊

摘　　要：研究了Ta2O5与Nb2O5对TiO2基压敏陶瓷电性能的影响.按照配方TiO2+0.003(按摩尔计)(SrO+Bi2O3+SiO2)+x Ta2O5+yNb2O5配制3种组分的圆片试样,各组分摩尔量分别为:x=0.000 75,y=0;x=0.000 375,y=0.000 375及x=0,y=0.000 75.采用电流-电压、电容测量、阻抗分析和势垒高度测量等实验手段,分析了Ta2O5和Nb2O5的作用机理.结果发现,x=0.000 75的样品显示出最低的压敏电压梯度(E10 mA=7.9 V/mm)和最大的表观介电常数(εra=5.88×104),y=0.000 75的样品显示出最高的压敏电压梯度(E10mA=48.9 V/mm)和最小的表观介电常数(εra=1.39×104).这表明,掺Ta2O5可有效地降低压敏电压,提高介电常数.

关 键 词：氧化钛基压敏陶瓷  压敏电压 非线性系数  电容量 晶粒电阻  半导体

分 类 号：TN304] TN379