文献类型：期刊文章

作　　者：王爱坤[1] 周国香[1] 李国昌[2]

机构地区：[1]河北工业大学,天津300130 [2]河北科技大学应用物理系,石家庄050018

出　　处：《太阳能学报》

基　　金：河北省自然科学基金资助项目(697181)

年　　份：2004

卷　　号：25

期　　号：6

起止页码：804-806

语　　种：中文

收录情况：BDHX、BDHX2000、CAS、CSCD、CSCD2011_2012、EI(收录号：2005118927835)、IC、JST、RCCSE、SCOPUS、ZGKJHX、核心刊

摘　　要：通过掺少量Te提高ZnSe受主杂质浓度,从而制成ZnSe p-n结太阳电池.单结ZnSe光电池在AM1条件下光谱响应半宽度范围365～450nm,波长为400nm时量子效率最大.ZnSe是一种好的叠层多结光电池的顶层材料,可以提供较高的开路电压,并且是底层电池的窗口;在单结ZnSe光电池的基区指数掺杂,95%的区域内能产生大于104V/cm的附加电场,在400～475nm波长范围内,该电场可以使其外量子效率增加1～1.5倍.

关 键 词：ZnS光电池  梯度掺杂 电场分布 光谱响应

分 类 号：TK514]