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磁控反应溅射SnO_2薄膜的气敏特性研究
Study on Gas Sensing Property of SnO_2 Thin Film Prepared by Magnetic Reactive Sputtering
文献类型:期刊文章
机构地区:[1]淮安信息职业技术学院电子与信息工程系,江苏淮安223001
年 份:2005
卷 号:24
期 号:1
起止页码:4-6
语 种:中文
收录情况:BDHX、BDHX2004、CAS、CSCD、CSCD_E2011_2012、INSPEC、JST、RCCSE、ZGKJHX、核心刊
摘 要:为研究SnO2薄膜的气敏特性,采用直流磁控反应溅射法制备了SnO2薄膜.探讨和分析了SnO2薄膜气敏元件的敏感机理.对SnO2薄膜的电阻和灵敏度的测试以及对实验结果的分析表明:SnO2薄膜厚度在150~400 nm为宜,一般膜厚在250 nm时较为敏感.在SnO2薄膜中掺入Pd、Pt、Ag等微量杂质可大大提高SnO2薄膜气敏元件的灵敏度,且使灵敏度的峰值向低温方向移动,增强了对H2、CO和C2H5OH等可燃气体的选择性、响应时间由3 min缩短到0.5s以下.
关 键 词:电子技术 磁控反应溅射 二氧化锡薄膜 气敏特性
分 类 号:TN305.92] TN304.2
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