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期刊文章详细信息

磁控反应溅射SnO_2薄膜的气敏特性研究    

Study on Gas Sensing Property of SnO_2 Thin Film Prepared by Magnetic Reactive Sputtering

  

文献类型:期刊文章

作  者:李朝林[1]

机构地区:[1]淮安信息职业技术学院电子与信息工程系,江苏淮安223001

出  处:《电子元件与材料》

年  份:2005

卷  号:24

期  号:1

起止页码:4-6

语  种:中文

收录情况:BDHX、BDHX2004、CAS、CSCD、CSCD_E2011_2012、INSPEC、JST、RCCSE、ZGKJHX、核心刊

摘  要:为研究SnO2薄膜的气敏特性,采用直流磁控反应溅射法制备了SnO2薄膜.探讨和分析了SnO2薄膜气敏元件的敏感机理.对SnO2薄膜的电阻和灵敏度的测试以及对实验结果的分析表明:SnO2薄膜厚度在150~400 nm为宜,一般膜厚在250 nm时较为敏感.在SnO2薄膜中掺入Pd、Pt、Ag等微量杂质可大大提高SnO2薄膜气敏元件的灵敏度,且使灵敏度的峰值向低温方向移动,增强了对H2、CO和C2H5OH等可燃气体的选择性、响应时间由3 min缩短到0.5s以下.

关 键 词:电子技术 磁控反应溅射 二氧化锡薄膜 气敏特性

分 类 号:TN305.92] TN304.2

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