文献类型：期刊文章

作　　者：刘俊[1] 郑瑞伦[2] 段昌奎[1]

机构地区：[1]重庆邮电学院光电工程学院信息电子学研究所,重庆400065 [2]西南师范大学物理学院,重庆400715

出　　处：《微电子学》

基　　金：国家自然科学基金资助项目(10147207);重庆市科委技术项目(2003-6111);重庆邮电学院青年基金(A2004-11)

年　　份：2004

卷　　号：34

期　　号：6

起止页码：644-647

语　　种：中文

收录情况：AJ、BDHX、BDHX2000、CAS、CSA、CSA-PROQEUST、CSCD、CSCD_E2011_2012、IC、INSPEC、JST、ZGKJHX、核心刊

摘　　要：　制备了纳米级(Ni82Fe18)72.9Nb27.1(3.5nm)/Ni82Fe18(tnm)/Ta(3nm)坡莫合金系列膜,并进行了中温退火(200°C),测量了退火前后样品的零场电阻率(ρ),各向异性磁电阻(AMR)和微结构;从实验角度研究了中温退火对ρ和AMR随NiFe厚度(t)变化的影响,并探讨了该影响的微观机制。

关 键 词：坡莫合金薄膜  中温退火  零场电阻率  各向异性磁电阻

分 类 号：O484.43]