文献类型：期刊文章

作　　者：刘俊[1] 郑瑞伦[2] 段昌奎[1] 代波[3]

机构地区：[1]重庆邮电学院光电工程学院信息电子学研究所,重庆400065 [2]西南师范大学物理系,重庆400715 [3]中国科学院物理所国家磁性重点实验室,北京100080

出　　处：《功能材料》

基　　金：国家自然科学基金资助项目(10147207);重庆市科委技术资助项目(2003 6111);重庆邮电学院青年基金资助项目(A2004 111)

年　　份：2004

卷　　号：35

期　　号：6

起止页码：706-708

语　　种：中文

收录情况：BDHX、BDHX2000、CAS、CSCD、CSCD2011_2012、EI(收录号：2005078844428)、IC、JST、RCCSE、RSC、SCOPUS、ZGKJHX、核心刊

摘　　要：　制备了(Ni82Fe18)72.9Nb27.1(dnm)/Ni82Fe18(3nm)/Ta(3nm)坡莫合金系列膜。测量了样品零场电阻率(ρ),各向异性磁电阻(AMR)和微结构。研究了ρ和AMR随种子层厚度(d)的变化。探讨了d影响ρ和AMR的微观机理。

关 键 词：新种子层  零场电阻率  AMR

分 类 号：O484.4]