文献类型：期刊文章

作　　者：谢自力[1] 张荣[1] 毕朝霞[1] 刘斌[1] 修向前[1] 顾书林[1] 江若琏[1] 韩平[1] 朱顺明[1] 沈波[1] 施毅[1] 郑有炓[1]

机构地区：[1]南京大学物理系,江苏省光电信息功能材料高技术研究重点实验室,江苏南京210093

出　　处：《微纳电子技术》

基　　金：国家重点基础研究发展规划资助项目(G2000068305);国家高技术研究发展规划项目(2001AA3111102003AA311060);国家自然科学基金项目(699760146980600669987001);国家杰出青年基金项目(60025411);江苏省自然科学基金重点项目资助(BK2003203)

年　　份：2004

卷　　号：41

期　　号：12

起止页码：26-32

语　　种：中文

收录情况：AJ、CAS、CSA、CSA-PROQEUST、INSPEC、RCCSE、ZGKJHX、普通刊

摘　　要：由于具有独特的本征特性,InN材料已经成为最近两年国际上最热门的研究材料之一。本文介绍了InN材料的基本性质,探讨了材料的生长技术和应用方向。最后给出了InN材料今后发展急需解决的问题以及未来的发展应用前景。

关 键 词：INN 带隙 半导体材料 晶格常数 晶格匹配

分 类 号：TN304.2]