文献类型：期刊文章

作　　者：高磊[1] 王继扬[1] 刘宏[1] 吴剑波[2] 秦小勇[2]

机构地区：[1]山东大学晶体材料国家重点实验室,济南250100 [2]中电科技德清华莹电子有限公司,德清313200

出　　处：《人工晶体学报》

基　　金：国家高技术研究发展计划(863)项目资助(No.2002AA311110)

年　　份：2004

卷　　号：33

期　　号：5

起止页码：699-702

语　　种：中文

收录情况：BDHX、BDHX2000、CAS、CSCD、CSCD2011_2012、EI(收录号：2004538754463)、JST、SCOPUS、ZGKJHX、核心刊

摘　　要：利用提拉法,在富锂(Li2O:NbO3=58.5／41.5)熔体中生长了质量良好的近化学计量比铌酸锂单晶,其紫外吸收边位置为308nm,居里温度超过了1200℃。测量了其Z向晶片的压电系数d33,并且观察了Z向晶片的180°畴,结果证明除少数区域外,所生长晶体为单畴。

关 键 词：富锂熔体  提拉法 晶体生长  化学计量比  铌酸锂晶体 单畴

分 类 号：O614.111] O782.5[化学类]