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掺杂SO_4^(2-)对In_2O_3电导和气敏性能的影响
Effect of SO_4^(2-) dopant on the conductivity and gas-sensing properties of In_2O_3
文献类型：期刊文章
机构地区：[1]滁洲学院化学系,安徽滁洲239012 [2]中国科学技术大学材料科学与工程系,安徽合肥230026
基 金：安徽省教育厅自然科学基金资助项目(2004kj289)
年 份：2004
卷 号：19
期 号：4
起止页码：29-31
语 种：中文
收录情况：CAS、ZGKJHX、普通刊
摘 要：用超声分散浸渍法制备了掺杂SO2-4的In2O3半导体气敏材料,并对其电导和气敏性能进行了研究.结果表明:SO2-4的掺入改变了N型半导体In2O3材料的导电性能;少量SO2-4(w(SO2-4)≈2%)的存在,能提高材料的比表面积和表面吸附氧On-2量,187℃下对乙醇有较好的选择性和灵敏度.
关 键 词：超声分散 SO4^2- 掺杂 电导 比表面积 掺入 制备 N型半导体 气敏性能 表面吸附
分 类 号：TS264.23] O643[食品科学与工程类]
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