期刊文章详细信息
文献类型:期刊文章
机构地区:[1]内蒙古民族大学物理系,通辽028043 [2]北京信息工程学院基础部,北京100101
出 处:《Journal of Semiconductors》
基 金:国家自然科学基金资助项目 (批准号 :10 3 470 0 4)~~
年 份:2004
卷 号:25
期 号:11
起止页码:1428-1432
语 种:中文
收录情况:AJ、BDHX、BDHX2000、CAS、CSA、CSA-PROQEUST、CSCD、CSCD2011_2012、EBSCO、EI(收录号:2005088854010)、IC、INSPEC、JST、RSC、SCOPUS、WOS、ZGKJHX、核心刊
摘 要:研究了半导体量子点中极化子的有效质量 .采用改进的线性组合算符方法 ,导出在电子 -体纵光学声子 (L O)强耦合时抛物量子点中极化子的振动频率、相互作用能和有效质量随受限强度和电子 -声子耦合强度的变化 .对Rb Cl晶体量子点进行了数值计算 ,结果表明 ,量子点受限越强 ,半导体量子点中强耦合极化子的振动频率和有效质量就越大 ;极化子的相互作用能随受限强度的增加先急剧增加 ,当达到极值后 。
关 键 词:半导体量子点 极化子 受限强度 有效质量
分 类 号:O471]
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引证文献:
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