文献类型：期刊文章

作　　者：黄锐[1] 林璇英[1] 余云鹏[1] 林揆训[1] 姚若河[2] 黄文勇[3] 魏俊红[1] 王照奎[1] 余楚迎[1]

机构地区：[1]汕头大学物理系,汕头515063 [2]华南理工大学应用物理系,广州510641 [3]广东韩山师范学院物理系,潮州521041

出　　处：《物理学报》

基　　金：国家重点基础研究发展规划项目 (批准号 :G2 0 0 0 0 2 82 0 8)资助的课题~~

年　　份：2004

卷　　号：53

期　　号：11

起止页码：3950-3955

语　　种：中文

收录情况：BDHX、BDHX2000、CAS、CSCD、CSCD2011_2012、EI、IC、INSPEC、JST、RCCSE、SCI-EXPANDED(收录号：WOS:000225014800061)、SCIE、SCOPUS、WOS、ZGKJHX、ZMATH、核心刊

摘　　要：以SiCl4 H2 为气源 ,用等离子体增强化学气相沉积 (PECVD)方法低温快速沉积多晶硅薄膜 .实验发现 ,在多晶硅薄膜的生长过程中 ,气相空间各种活性基团的相对浓度是影响晶粒大小的重要因素 ,随功率、H2 SiCl4 流量比的减小和反应室气压的增加 ,晶粒增大 .而各种活性基团的相对浓度依赖于PECVD工艺参数 ,通过工艺参数的改变 ,分析生长过程中空间各种活性基团相对浓度的变化 ,指出“气相结晶”

关 键 词：活性基团 晶粒大小 等离子体增强化学气相沉积 结晶  工艺参数 反应室  PECVD 低温生长  多晶硅薄膜 功率  

分 类 号：O484.1]