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高灵敏度硅电容式压力传感器的研制
文献类型：期刊文章
机构地区：[1]鞍山钢铁学院自控系
年 份：1989
期 号：6
起止页码：35-39
语 种：中文
收录情况：CSCD、CSCD2011_2012、普通刊
摘 要：本文分析了圆形和方形硅杯的应力膜片在均匀压力下的弯曲,进而得到了电容式传感器的电容与压力的关系,指出当电极的半径与硅应力膜片的半径之比为0.6时,可以得到最高灵敏度。对非线性的改进,提出了通过改变电极的形状来实现,对器件的结构进行了设计。 文中介绍了硅电容式压力传感器的制作工艺,特别详细地研究了硅、玻璃的封接技术,提出了电流法实现静封过程的监控,整个静封装置仅用几十元,但静封样品的性能完全符合要求。
关 键 词：传感器 硅电容式 制造工艺
分 类 号：TP212]
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