文献类型：期刊文章

作　　者：于映[1] 罗仲梓[2] 翁心桥[2]

机构地区：[1]福州大学电子系,福州350002 [2]厦门大学萨本栋微机电研究中心,厦门360003

出　　处：《真空科学与技术学报》

基　　金：国家自然科学基金青年基金资助项目 ( 60 3 0 10 0 6) ;福建省自然科学基金资助项目 (A0 3 10 0 12 )

年　　份：2004

卷　　号：24

期　　号：4

起止页码：306-308

语　　种：中文

收录情况：BDHX、BDHX2000、CAS、CSCD、CSCD_E2011_2012、EI、JST、RSC、SCOPUS、ZGKJHX、核心刊

摘　　要：本文采用MEMS工艺制作接触式串联射频开关 ,射频开关采用双端固定的悬臂梁结构 ,悬梁为PECVD制作的SiN薄膜 ,溅射Au制作共平面波导 ,聚酰亚胺作为牺牲层 ,运用等离子体刻蚀法释放牺牲层。研究了悬梁、共平面波导以及电极的制作工艺 ,并分析了牺牲层的制作和刻蚀工艺对开关结构的影响。

关 键 词：共平面波导 牺牲层  刻蚀工艺 射频开关 MEMS开关 接触式  PECVD 串联  开关结构  电极  

分 类 号：TB52[物理学类] TM564]