文献类型：期刊文章

作　　者：何忠伟[1] 徐政[1] 孙丹峰[2]

机构地区：[1]同济大学材料科学与工程学院,上海200092 [2]苏州中普电子有限公司,江苏苏州215011

出　　处：《硅酸盐学报》

年　　份：2004

卷　　号：32

期　　号：9

起止页码：1161-1164

语　　种：中文

收录情况：BDHX、BDHX2000、CAS、CSA、CSA-PROQEUST、CSCD、CSCD2011_2012、EI(收录号：2004518734029)、IC、INSPEC、JST、RCCSE、RSC、SCOPUS、ZGKJHX、核心刊

摘　　要：近年来,加入晶粒助长剂TiO2以实现低压化的低压ZnO压敏电阻发展迅速。实验所用配方为掺杂TiO2的98.3%ZnO0.7%Bi2O31.0%TiO2(摩尔分数)和相应无TiO2掺杂的配方,在900～1200℃下烧结制备样品。给出了相分析、半定量分析及电性能测试结果。发现TiO2可以有效促进ZnO晶粒长大,降低压敏电压梯度。1100℃下,TiO2掺杂试样的平均晶粒尺寸为56.4μm,远大于无TiO2掺杂的31.8μm。大部分TiO2首先与Bi2O3反应生成Bi4(TiO4)3液相,这大大促进了ZnO晶粒生长。高于1000℃时Bi4(TiO4)3分解,分解出的TiO2与ZnO发生反应,生成Zn2TiO4尖晶石相,晶粒生长受阻,直至停止。

关 键 词：氧化锌 压敏电阻 氧化钛掺杂  晶粒长大 低压化  

分 类 号：TB321[材料类] TB34